Propagation of the SiO2 breakdown event on MOS structures observed with conductive atomic force microscopy

M. Porti, M. Nafría, X. Aymerich, A. Olbrich, B. Ebersberger

    Producció científica: Contribució a revistaArticleRecercaAvaluat per experts

    19 Cites (Scopus)
    Idioma originalAnglès
    Pàgines (de-a)265-269
    RevistaMicroelectronic Engineering
    Volum59
    Número1-4
    DOIs
    Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2001

    Com citar-ho