Proc. of the IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS). "Switching Behavior of the Soft Breakdown Conduction Characteristic in Ultrathin (<5nm) Oxide MOS Capacitors". IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).

E. MIranda, R. Rodríguez, M. Nafría, J. Suñé, X. Aymerich

Producció científica: Llibre/InformeLlibre d'ActesRecerca

Idioma originalEnglish
Lloc de publicacióReno (US)
Nombre de pàgines5
Estat de la publicacióPublicada - de juny 1998

Com citar-ho