Pre- and post-breakdown conduction of thin SiO2 gate oxides of MOS devices: a Conductive Atomic Force Microscope analysis

M. Porti, M. Nafría, X. Aymerich, Eugene V. Editors: Dirote (Editor/a)

Producció científica: Capítol de llibreCapítolRecerca

Idioma originalEnglish
Títol de la publicacióFocus on Nanotechnology Research
Lloc de publicacióNova York (US)
Pàgines75-94
Nombre de pàgines19
Edició1
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2004

Com citar-ho