Physical model for the voltage and temperature dependence of the soft breakdown current in ultrathin gate oxides

Enrique Alberto Miranda Castellano, A. Avellán, D. Schroeder, W. Krautschneider

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecerca

Idioma originalEnglish
Pàgines (de-a)---
RevistaJournal of Applied Physics
Volum97
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2005

Com citar-ho