Modeling the post-breakdown current in MOS devices on p-silicon substrate

A. Ortiz-Conde*, E. Miranda, F. J. García Sanchéz, E. Farkas, S. Malobabic

*Autor corresponent d’aquest treball

Producció científica: Capítol de llibreCapítolRecercaAvaluat per experts

3 Cites (Scopus)

Fingerprint

Navegar pels temes de recerca de 'Modeling the post-breakdown current in MOS devices on p-silicon substrate'. Junts formen un fingerprint únic.

Keyphrases

Engineering

Material Science