Modeling the post-breakdown current in MOS devices on p-silicon substrate

A. Ortiz-Conde*, E. Miranda, F. J. García Sanchéz, E. Farkas, S. Malobabic

*Autor corresponent d’aquest treball

Producció científica: Capítol de llibreCapítolRecercaAvaluat per experts

3 Cites (Scopus)

Resum

A model for the post-breakdown leakage current in MOS p-silicon devices with ultra thin oxides is presented. The model is based on a combination of two ideal diodes and two resistances. Model parameters are extracted using nonlinear optimization.

Idioma originalAnglès
Títol de la publicació2006 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems
Pàgines13-16
Nombre de pàgines4
DOIs
Estat de la publicacióPublicada - 2006

Sèrie de publicacions

NomProceedings of the Sixth International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS 2006 - Final Program and Technical Digest

Fingerprint

Navegar pels temes de recerca de 'Modeling the post-breakdown current in MOS devices on p-silicon substrate'. Junts formen un fingerprint únic.

Com citar-ho