Modeling the Breakdown and Breakdown Statistics of Ultra-Thin SiO2 Gate Oxides

J. Suñé, E. Wu

    Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecerca

    19 Cites (Scopus)
    Idioma originalEnglish
    Pàgines (de-a)149-453
    RevistaMicroelectronic Engineering
    Volum59
    DOIs
    Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2001

    Com citar-ho