Modeling the Breakdown and Breakdown Statistics of Ultra-Thin SiO2 Gate Oxides

Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca

Idioma original	Anglès
Pàgines (de-a)	149-453
Revista	Microelectronic Engineering
Volum	59
DOIs	https://doi.org/10.1016/S0167-9317(01)00658-X
Estat de la publicació	Publicada - 1 de gen. 2001

Accés al document

@article{8e0d328447d94238a3d40721a1099bdb,

title = "Modeling the Breakdown and Breakdown Statistics of Ultra-Thin SiO2 Gate Oxides",

author = "J. Su{\~n}{\'e} and E. Wu",

year = "2001",

month = jan,

day = "1",

doi = "10.1016/S0167-9317(01)00658-X",

language = "English",

volume = "59",

pages = "149--453",

journal = "Microelectronic Engineering",

issn = "0167-9317",

publisher = "Elsevier",

}