Idioma original | English |
---|---|
Número d’article | 1400058 |
Revista | Advanced Electronic Materials |
Volum | 1 |
Número | 4 |
DOIs | |
Estat de la publicació | Publicada - 1 de gen. 2015 |
In Situ Demonstration of the Link Between Mechanical Strength and Resistive Switching in Resistive Random-Access Memories
Yuanyuan Shi, Yanfeng Ji, Fei Hui, Montserrat Nafria, Marc Porti, Gennadi Bersuker, Mario Lanza
Producció científica: Contribució a una revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
13
Cites
(Scopus)