In Situ Demonstration of the Link Between Mechanical Strength and Resistive Switching in Resistive Random-Access Memories

Yuanyuan Shi, Yanfeng Ji, Fei Hui, Montserrat Nafria, Marc Porti, Gennadi Bersuker, Mario Lanza

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecercaAvaluat per experts

13 Cites (Scopus)
Idioma originalEnglish
Número d’article1400058
RevistaAdvanced Electronic Materials
Volum1
Número4
DOIs
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2015

Com citar-ho