Implanted and irradiated SiO2/Si structures electrical properties at the nanoscale

M. Porti, M. Nafría, S. Gerardin, X. Aymerich, A. Cester, A. Paccagnella, G. Ghidini

Producció científica: Contribució a revistaArticleRecercaAvaluat per experts

Idioma originalAnglès
Pàgines (de-a)421-425
RevistaJournal of vacuum science & technology. B
Volum27
Número1
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2009

Com citar-ho