Impact of conductivity and size of the breakdown spot on the progressive-breakdown of thin SiO2 gate oxides.

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecercaAvaluat per experts

5 Cites (Scopus)
Idioma originalEnglish
Pàgines (de-a)29-33
RevistaMicroelectronic Engineering
Volum72
Número1-4
DOIs
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2004

Com citar-ho