Idioma original | Anglès |
---|---|
Pàgines (de-a) | 645-648 |
Revista | Materials Science Forum |
Volum | 483-485 |
Estat de la publicació | Publicada - 1 de gen. 2005 |
Homogeneity of nitrogen and phosphorus Co-implants in 4H-SiC: Full wafer scale investigation
S. Blanqué, J. Lyonnet, J. Camassel, R. Pérez, P. Terziyska, S. Contreras, PHilippe Raymond Maria Godignon, Narcís Mestres Andreu, J. Pascual
Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts