Homogeneity of nitrogen and phosphorus Co-implants in 4H-SiC: Full wafer scale investigation

S. Blanqué, J. Lyonnet, J. Camassel, R. Pérez, P. Terziyska, S. Contreras, PHilippe Raymond Maria Godignon, Narcís Mestres Andreu, J. Pascual

Producció científica: Contribució a revistaArticleRecercaAvaluat per experts

Idioma originalAnglès
Pàgines (de-a)645-648
RevistaMaterials Science Forum
Volum483-485
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2005

Com citar-ho