Growth and Characterization of SiC Films Deposited on a-SiO2Si (100) Substrates by LPCVD

J. Rodríguez; N. Clavaguera; Z. El Felk; M.T. Clavaguera-Mora; G. Arnaud; J. Camassel; J. Pascual; S. Berberich; J. Millán

Growth and Characterization of SiC Films Deposited on a-SiO₂Si (100) Substrates by LPCVD

J. Rodríguez, N. Clavaguera, Z. El Felk, M.T. Clavaguera-Mora, G. Arnaud, J. Camassel, J. Pascual, S. Berberich, J. Millán

Departament de Física

Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts

Idioma original	Anglès
Pàgines (de-a)	98-101
Revista	Materials Science and Technology
Número	12
Estat de la publicació	Publicada - 1 de gen. 1996

Com citar-ho

@article{237f1dea726c4d2f95ccae3bee1442a8,

title = "Growth and Characterization of SiC Films Deposited on a-SiO2Si (100) Substrates by LPCVD",

author = "J. Rodr{\'i}guez and N. Clavaguera and {El Felk}, Z. and M.T. Clavaguera-Mora and G. Arnaud and J. Camassel and J. Pascual and S. Berberich and J. Mill{\'a}n",

year = "1996",

month = jan,

day = "1",

language = "English",

pages = "98--101",

number = "12",

}

TY - JOUR

T1 - Growth and Characterization of SiC Films Deposited on a-SiO2Si (100) Substrates by LPCVD

AU - Rodríguez, J.

AU - Clavaguera, N.

AU - El Felk, Z.

AU - Clavaguera-Mora, M.T.

AU - Arnaud, G.

AU - Camassel, J.

AU - Pascual, J.

AU - Berberich, S.

AU - Millán, J.

PY - 1996/1/1

Y1 - 1996/1/1

M3 - Article

SN - 0267-0836

SP - 98

EP - 101

JO - Materials Science and Technology

JF - Materials Science and Technology

IS - 12

ER -