Idioma original | Anglès |
---|---|
Pàgines (de-a) | 98-98 |
Revista | Materials Science and Technology |
Volum | 12 |
Número | 0 |
Estat de la publicació | Publicada - 1 de gen. 1996 |
Growth and characterization of LPCVD SiC grown on SiO2Si(100) substrates
J. Rodriguez, N. Clavaguera, M.T. Clavaguera, G. Arnaud, J. Camassel, J. Pascual, S. Berberich, J. Millan
Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
3
Cites
(Scopus)