Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale

A. Fontsere, M. Perez-Tomas, J. Placidi, N. Llobet, S. Baron, Y. Chenot, J. C. Cordier, V. Moreno, M. Iglesias, A. Porti, M. Bayerl, M. Lanza, empty Nafria

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecercaAvaluat per experts

17 Citacions (Web of Science)
Idioma originalEnglish
Pàgines (de-a)093505-
RevistaApplied physics letters
Volum101
DOIs
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2012

Com citar-ho