Idioma original | Anglès |
---|---|
Pàgines (de-a) | 093505- |
Revista | Applied physics letters |
Volum | 101 |
DOIs | |
Estat de la publicació | Publicada - 1 de gen. 2012 |
Gate current analysis of AlGaN/GaN on silicon heterojunction transistors at the nanoscale
A. Fontsere, M. Perez-Tomas, J. Placidi, N. Llobet, S. Baron, Y. Chenot, J. C. Cordier, V. Moreno, M. Iglesias, A. Porti, M. Bayerl, M. Lanza, empty Nafria
Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
18
Cites
(Scopus)