| Idioma original | Anglès |
|---|---|
| Pàgines (de-a) | 22-27 |
| Revista | Applied Surface Science |
| Número | 102 |
| Estat de la publicació | Publicada - 1 de gen. 1996 |
Gas Source Molecular Beam Epitaxi of 3C-SiC on Si Substrates
K. Zekentes, N. Bécourt, M. Androulidaki, K. Tsagaraki, J. Stoemenos, J.M. Bluet, J. Camassel, J. Pascual
Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
19
Cites
(Scopus)