Experimental study and modeling of the temperature dependence of soft breakdown conduction in ultrathin gate oxides

A. Avellán*, E. Miranda, B. Sell, W. Krautschneider

*Autor corresponent d’aquest treball

Producció científica: Capítol de llibreCapítolRecercaAvaluat per experts

4 Cites (Scopus)

Resum

In this work, we focus our interest on the temperature dependence of soft breakdown conduction (SBD), mainly in the range in which real devices are commonly operated (-20/spl deg/C
Idioma originalAnglès
Títol de la publicació2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual.
Pàgines580-581
Nombre de pàgines2
DOIs
Estat de la publicacióPublicada - 2003

Sèrie de publicacions

Nomieee international reliability
ISSN (imprès)0099-9512

Fingerprint

Navegar pels temes de recerca de 'Experimental study and modeling of the temperature dependence of soft breakdown conduction in ultrathin gate oxides'. Junts formen un fingerprint únic.

Com citar-ho