Equivalent circuit model for the gate leakage current in broken down HfO<inf>2</inf>/TaN/TiN gate stacks

Enrique Miranda, Kin Leong Pey, Rakesh Ranjan, Chih Hang Tung

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecercaAvaluat per experts

13 Cites (Scopus)

Fingerprint

Navegar pels temes de recerca de 'Equivalent circuit model for the gate leakage current in broken down HfO<inf>2</inf>/TaN/TiN gate stacks'. Junts formen un fingerprint únic.

Engineering

INIS

Keyphrases