Embedded boron nitride domains in graphene nanoribbons for transport gap engineering

Aquest estudi investiga l'impacte dels dominis de nitrur de bor en les propietats del transport de nanocintes de grafè amb longituds que van des d'uns pocs a uns quants centenars de nanòmetres i una mida lateral de fins a 4 nm. En variar la mida i morfologia de les illes de BN incrustats en la matriu de grafè, s'obté un ampli rang de propietats del transport que va des d'interfícies aïllants perfectes fins perfils de transmissió electró-forat asimètrics, proporcionant així la possibilitat d'optimitzar els espais de mobilitat per a millorar el rendiment dels dispositius. Fins i tot en el límit de baixa densitat dels dominis de BN incrustats, es va trobar que les propietats del transport depenen fortament tant de la forma del domini de BN com de la mida amb una tendència forta cap al règim aïllant quan s'incrementa el nombre d'enllaços iònics a la cinta. Aquesta versatilitat en les propietats de conducció ofereix oportunitats destacades per optimitzar els espais de mobilitat per al disseny d'arquitectures complexes de dispositius basats en un material híbrid monocapa recentment sintetitzat. © 2012 American Physical Society.