Electrical characterization of MOS structures with Si-Nanocrystals as memory devices: a nanoscale approach with AFM

M. Porti, M. Nafria, X. Aymerich, Hongquig Hu (Editor)

Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca

Idioma original	Anglès
Títol de la publicació	Nanocrystals: Properties, Preparation and Applications
Lloc de publicació	Nova York (US)
Pàgines	251-274
Nombre de pàgines	23
Edició	1
Estat de la publicació	Publicada - 1 de gen. 2009

Com citar-ho

@inbook{53d3953ef00f4a79a390f76aab25a1b6,

title = "Electrical characterization of MOS structures with Si-Nanocrystals as memory devices: a nanoscale approach with AFM",

author = "M. Porti and M. Nafria and X. Aymerich and Hongquig Hu",

year = "2009",

month = jan,

day = "1",

language = "English",

isbn = "978-1-60456-964-3",

pages = "251--274",

booktitle = "Nanocrystals: Properties, Preparation and Applications",

edition = "1",

}