Electrical characteristics of aligned and transversally recrystalliced SOI MOS transistors

G. Sánchez, J. Garrido, J. Martinez, J. Piqueras, LORA TAMAYO E., C. Domínguez

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecerca

Idioma originalEnglish
Pàgines (de-a)1447-1450
RevistaSolid-state electronics
Volum35
Número1
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 1992

Com citar-ho