Electrical characteristics of advanced lateral insulated-gate bipolar transistor structures at 77 K

M. Vellvehi, X. Jordà, D. Flores, P. Godignon, J. Rebollo, J. Millán

    Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts

    1 Citació (Scopus)

    Fingerprint

    Navegar pels temes de recerca de 'Electrical characteristics of advanced lateral insulated-gate bipolar transistor structures at 77 K'. Junts formen un fingerprint únic.

    Keyphrases

    Engineering

    Material Science

    Physics