Títol traduït de la contribució | Degradation and breakdown of gate oxides in VLSI decives |
---|---|
Idioma original | Múltiples idiomes |
Pàgines (de-a) | 675-685 |
Revista | Physica status solidi. A, Applied research |
Volum | 111 |
Estat de la publicació | Publicada - 1 de gen. 1989 |
Degradation and breakdown of gate oxides in VLSI decives
J. Suñé, I. Placencia, N. Barniol, E. Farrés, X. Aymerich
Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca
44
Cites
(Scopus)