Degradation and breakdown of gate oxides in VLSI decives

J. Suñé, I. Placencia, N. Barniol, E. Farrés, X. Aymerich

Producció científica: Contribució a revistaArticleRecerca

44 Cites (Scopus)
Títol traduït de la contribucióDegradation and breakdown of gate oxides in VLSI decives
Idioma originalMúltiples idiomes
Pàgines (de-a)675-685
RevistaPhysica status solidi. A, Applied research
Volum111
Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 1989

Com citar-ho