Conduction and Breakdown Behaviour of Atomic Force Microscopy Grown SiO2 Gate Oxide on MOS Structures

    Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecerca

    Idioma originalEnglish
    Pàgines (de-a)1513-1516
    RevistaMicroelectronics and Reliability
    Volum42
    Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 2002

    Com citar-ho