Saltar a la navegació principal Saltar a la cerca Vés al contingut principal

Comparison of stressed Poly-Si and TiN gated Hf-based NMOSFETs characteristics, modeling and their impact on circuits performance

L. Aguilera, J. Martín-Martínez, M. Porti, R. Rodríguez, M. Cambrea, F. Crupi, M. Nafría, X. Aymerich

Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts

Fingerprint

Navegar pels temes de recerca de 'Comparison of stressed Poly-Si and TiN gated Hf-based NMOSFETs characteristics, modeling and their impact on circuits performance'. Junts formen un fingerprint únic.
Ordenar per

Keyphrases

Engineering

Material Science