Characterization of the spatial distribution of traps in Si<inf>3</inf>N<inf>4</inf> by field-assisted discharge of metal-nitride-oxide-semiconductor devices

F. Martín, X. Aymerich

Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecercaAvaluat per experts

13 Cites (Scopus)

Fingerprint

Navegar pels temes de recerca de 'Characterization of the spatial distribution of traps in Si<inf>3</inf>N<inf>4</inf> by field-assisted discharge of metal-nitride-oxide-semiconductor devices'. Junts formen un fingerprint únic.

INIS

Material Science

Physics

Keyphrases