Caracterización dinámica del óxido de puerta de dispositivos MOS VLSI: Actas de la conferencia de Dispositivos Electrónicos 1997 (CDE'97)

M Nafría; R Rodriguez; J Suñé; X Aymerich; R Alcubilla; J Pond

Caracterización dinámica del óxido de puerta de dispositivos MOS VLSI: Actas de la conferencia de Dispositivos Electrónicos 1997 (CDE'97)

M Nafría, R Rodriguez, J Suñé, X Aymerich, R Alcubilla (Editor), J Pond (Editor)

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Idioma original	No s'ha definit/desconegut
Lloc de publicació	- (ES)
Nombre de pàgines	6
Estat de la publicació	Publicada - de jul. 1997

Com citar-ho

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TY - BOOK

T1 - Caracterización dinámica del óxido de puerta de dispositivos MOS VLSI

T2 - Actas de la conferencia de Dispositivos Electrónicos 1997 (CDE'97)

AU - Nafría, M

AU - Rodriguez, R

AU - Suñé, J

AU - Aymerich, X

A2 - Alcubilla, R

A2 - Pond, J

PY - 1997/7

Y1 - 1997/7

M3 - Libro de Actas

BT - Caracterización dinámica del óxido de puerta de dispositivos MOS VLSI

CY - - (ES)

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