Caracterización de diodos Schottky Pt/GaAs mediante microscopía de efecto Túnel

F. Péres Murano; M Barniol; X. Aymerich; L. Lechuga

Caracterización de diodos Schottky Pt/GaAs mediante microscopía de efecto Túnel

F. Péres Murano, M Barniol, X. Aymerich, L. Lechuga

Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca

Idioma original	Espanyol
Títol de la publicació	Microlectrónica 92: tecnologías, diseño y aplicaciones. Recogen las ponencias presentadas durante las Jornadas Cientificas de la VI edicion de la Escuela de Microelectronica
Editors	editores A.M. Burón Romero, ...(, et al)
Lloc de publicació	Santander (ES)
Pàgines	108-108
Edició	1
Estat de la publicació	Publicada - 1 d’abr. 1993

Com citar-ho

Péres Murano, F., Barniol, M., Aymerich, X., & Lechuga, L. (1993). Caracterización de diodos Schottky Pt/GaAs mediante microscopía de efecto Túnel. In editores A.M. Burón Romero, ...(, & et al) (Ed.), Microlectrónica 92: tecnologías, diseño y aplicaciones. Recogen las ponencias presentadas durante las Jornadas Cientificas de la VI edicion de la Escuela de Microelectronica (1 ed., pàg. 108-108).

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Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca

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T1 - Caracterización de diodos Schottky Pt/GaAs mediante microscopía de efecto Túnel

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