Breakdown spot electrical properties at the nanoscale and their impact on the post-breakdown performance of MOS devices

M. Porti, R. Fernandez, R. Rodriguez, M. Nafria, X. Aymerich, S.Gehar (editor) Kimberly (Editor)

Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca

Idioma original	Anglès
Títol de la publicació	Nanophysics, Nanoclusters and Nanodevices
Lloc de publicació	Nova York (US)
Pàgines	125-139
Nombre de pàgines	14
Edició	1
Estat de la publicació	Publicada - 1 de gen. 2007

Com citar-ho

@inbook{b1cff7480a8946dabc9b40630387a7f2,

title = "Breakdown spot electrical properties at the nanoscale and their impact on the post-breakdown performance of MOS devices",

author = "M. Porti and R. Fernandez and R. Rodriguez and M. Nafria and X. Aymerich and Kimberly, {S.Gehar (editor)}",

year = "2007",

month = jan,

day = "1",

language = "English",

isbn = "978-1-59454-852-9",

pages = "125--139",

booktitle = "Nanophysics, Nanoclusters and Nanodevices",

edition = "1",

}

TY - CHAP

T1 - Breakdown spot electrical properties at the nanoscale and their impact on the post-breakdown performance of MOS devices

AU - Porti, M.

AU - Fernandez, R.

AU - Rodriguez, R.

AU - Nafria, M.

AU - Aymerich, X.

A2 - Kimberly, S.Gehar (editor)

PY - 2007/1/1

Y1 - 2007/1/1

M3 - Chapter

SN - 978-1-59454-852-9

SP - 125

EP - 139

BT - Nanophysics, Nanoclusters and Nanodevices

CY - Nova York (US)

ER -