Breakdown of thin gate silicon dioxide films

Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca

Idioma original	Anglès
Pàgines (de-a)	871-905
Revista	Microelectronics Reliability
Volum	36
Número	7/8
Estat de la publicació	Publicada - 1 de gen. 1996

Com citar-ho

@article{05ec453a3b7a465196fe730fdf3e7812,

title = "Breakdown of thin gate silicon dioxide films",

author = "M. Nafr{\'i}a and J. Su{\~n}{\'e} and X. Aymerich",

year = "1996",

month = jan,

day = "1",

language = "English",

volume = "36",

pages = "871--905",

journal = "Microelectronics Reliability",

issn = "0026-2714",

publisher = "Elsevier Limited",

number = "7/8",

}