Bohm trajectories for the modeling of tunneling devices

J. Suñé, X. Oriols, J. J. García-García, F. Martín, T. González, J. Mateos, D. Pardo

    Producció científica: Contribució a una revistaArticleRecercaAvaluat per experts

    4 Cites (Scopus)

    Resum

    It is shown that quantum phenomena in electron devices, such as tunneling of electrons, can be modeled using Bohm trajectories. Fowler-Nordheim tunneling in thin-oxide MOS structures and resonant tunneling in double barrier diodes are considered.
    Idioma originalEnglish
    Pàgines (de-a)125-128
    RevistaMicroelectronic Engineering
    Volum36
    DOIs
    Estat de la publicacióPublicada - 1 de gen. 1997

    Fingerprint

    Navegar pels temes de recerca de 'Bohm trajectories for the modeling of tunneling devices'. Junts formen un fingerprint únic.

    Com citar-ho