Analysis of the Voltage Ramp Rate Effects on the Programming Characteristics of Bipolar-Type Memristive Devices

Enrique Miranda, Eszter Piros, Taewook Kim, Philipp Schreyer, Jonas Gehrunger, Tobias Schwarz, Timo Oster, Klaus Hofmann, Jordi Suñé, Christian Hochberger, Lambert Alff

Producció científica: Contribució a revistaArticleRecercaAvaluat per experts

1 Citació (Scopus)

Fingerprint

Navegar pels temes de recerca de 'Analysis of the Voltage Ramp Rate Effects on the Programming Characteristics of Bipolar-Type Memristive Devices'. Junts formen un fingerprint únic.

Keyphrases

Physics

Material Science