Analysis of the evolution of the trapped charge distributions in 10 nm SiO2 films during DC and bipolar dynamic stress. Proceedings of the 8th European Symposium on Reliability of Electron Devices, Failure Physics and Analysis (ESREF 97)

R Rodriguez, M Nafría, J Suñé, X Aymerich, N Labat (Editor), A Touboul (Editor)

Producció científica: Tipus de llibre o informeLlibre d'ActesRecerca

Idioma originalNo s'ha definit/desconegut
Lloc de publicació- (GB)
Nombre de pàgines4
Estat de la publicacióPublicada - de jul. 1997

Com citar-ho