Abstracts of the 29th IEEE Semniconductor Interfase Specialists Conference. "Modeling of Soft Breakdown I-V characteristic in <5nm Gate Oxides". Abstracts of the 29th IEEE Semniconductor Interfase Specialists Conference.

E. Miranda, J. Suñé, R. Rodríguez, M. Nafría, X. Aymerich, IEEE Electron Devices Society (Editor/a)

    Producció científica: Llibre/InformeLlibre d'ActesRecerca

    Idioma originalUndefined/Unknown
    Lloc de publicacióSan Diego (US)
    Nombre de pàgines0
    Estat de la publicacióPublicada - de juny 1998

    Com citar-ho