Transicions electròniques i estats de vibració en sistemes ternaris semiconductors ordenats espontàniament (GaInP2) i de tipus calcopirita (I-III-VI2).

Aquest projecte respon a un doble objectiu. D'una banda, estudiar les transicions òptiques entre estats electrònics en estructures ben ordenades GaInP2 crescudes sobre GaAs; en concret, estudiar la intensitat i la influència de la distorsió tetragonal del substrat. Posarem un èmfasi especial a estudiar el gap fonamental pel fet que està implicat en el desenvolupament de làsers d'injecció i de LEDS. Alhora, pretenem observar els efectes d'ordre sobre els estats de vibració, tant pel que afecta el desdoblament de modes òptics com la identificació de nous modes de plegament. D'altra banda, ens proposem recobrar l'estudi paral_lel dels estats de transicions òptiques i estats de vibració en compostos ternaris ordenats del tipus calcopirita de la família I-III-VI2, i observar, particularment, l'efecte que la presència dels estats "d" dels elements del grup I produeix tant sobre les transicions