Simulació del transport coherent i incoherent a estructures mesoscòpiques laterals i verticals.

En el present projecte es desenvoluparan eines per a la simulació del transport electrònic coherent i incoherent en dispositius quàntics de transport vertical i en estructures mesoscòpiques. En el primer cas es pretén optimitzar i generalitzar un simulador Monte Carlo quàntic basat en trajectories fe Bohm que proposat en un projecte previ. Per a això, dedicarem un esforç important a la modelització de les "quasi-ligados" i entre ambdós tipus d'estats. Es generalitzarà el simulador per a estudiar el comportament temporal dels dispositius, incloent-hi la resposta transitòria i la resposta a la aplicació de camps elèctrics AC d'alta freqüència. Concretament, aplicarem l'eina desenvolupada a la simulació del transport electrònic en diodes túnel ressonant i l'estudi de la dinàmica d'electrons en superxarxes de tipus Esaki-Tsu. En el segon cas, s'obtindran les característiques de conductància en estructures basades en guies d'ones quàntiques mitjançant la tècnica de la matriu de transferència, que generalitzarem al cas de confinament lateral i vertical (sistemes ID) amb aplicació a dispositius de tipus \i split gate\i0 en materials III-V. Així mateix, es desenvoluparà un simulador de transport incoherent que permeti analitzar els efectes de temperatura, i s'estudiarà la resposta temporal a partir de la solució de l'equació de Schödringer dependent del temps.