Prestacions, variabilitat i inestabilitats en dispositiuts nanoelectrònics

(...) Els objectius d'aquest projecte s'emmarquen en la simulació, modelatge i caracterització de dispostius semiconductors per a aplicacions en tecnologies nanoelectròniques sub-45 nanòmetre. Es consideraran dispositius CMOS no convencionals per a aplicacions a curt termini però també dispositius lògics emergents que podrien trobar aplicació a llarg termini com són els transistors d'efecte de camp basats en nanotubs i nanofils i els transistors d'espín (...). Es plantegen objectius de simulació i modelatge compacte de transistors d'efecte de camp amb canals 1D implementats amb nanotubs de carboni i amb nanofils de silici (...). D'altra banda, s'incorporarà l'espín electrònic al simulador MC, amb l'objectiu d'estudiar el transport d'espins en condicions de transport semiclàssic i per analitzar el comportament del transistor d'espín Datta-Das i del transistor de temps de vida d'espín ressonant. Farem ressaltar com a objectiu transversal a tot el projecte l'estudi de la variabilitat de paràmetres i de les inestabilitats derivades de fluctuacions a escala atòmica en la posició i nombre de dopants i dels defectes generats durant l'operació dels dispositius i que afecten la seva fiabilitat. En aquest terreny, també proposem el desenvolupament d'un simulador estocàstic de degradació de l'aïllant de porta i la caracterització elèctrica de l'esmentada degradació en transistors d'àrea reduïda en els quals pot fer-se un seguiment experimental defecte a defecte.