Espectroscòpia Raman d'estructures GaInAs/InP crescudes per MBE

Es proposa l'estudi de la qualitat de les estructures GaInAs/InP(SQW, MQW), així com l'efecte produït pel que s'ha malmès per RIE a InPi GaInAs, utilitzant experiències Raman. El primer pas és estudiar l'espectre Raman del GaInAs, i posteriorment es procedeix a estudiar: a) les qualitats de les interfases InP/GaInAs i GaInAs/InP, seguit d'un examen Raman de les diferents capes de SQW després de successius atacs químics; b) qualitat dels MQW i, en particular, la influència del desordre de composició GaxIn1-xAs en l'amplada de pics Raman; estudi de les transicions banda a banda i de les transicions intersubbandes i de les mesures d'"offsets" de bandes GaInSa-Inp; i c) ja que per a la fabricació d'estructures de baixa dimensionalitat (quantum wires, 1-D i quantum dots, 0-D) cal un "etching" sec amb bombardeig d'ions (RIE), la qualitat d'aquestes estructures va fortament condicionada pel dan