Saltar a la navegació principal
Saltar a la cerca
Vés al contingut principal
Portal de Recerca de la Universitat Autònoma de Barcelona Inici
Ajuda i PMF
Català
Español
English
Inici
Perfils
Unitats de recerca
Projectes
Producció científica
Conjunts de dades
Tesis doctorals
Cerca per experiència, nom o afiliació
Efectos Mesoscópicos en Transistores Mos Nanométricos
Suñe Tarruella, Jorge Francisco
(Investigador/a principal)
Jimenez Jimenez, David
(Investigador/a contractat/da)
Martin Antolin, Juan Fernando
(Investigador/a)
Departament d'Enginyeria Electrònica
Informació general
Fingerprint
Fingerprint
Explora els temes de recerca tractats en aquest projecte. Les etiquetes es generen en funció dels ajuts rebuts. Juntes formen un fingerprint únic.
Ordenar per
Ponderació
Alfabèticament
Keyphrases
MOSFET
100%
Mesoscopic Effects
40%
Stress Severity
20%
Ultimate Limit
20%
Controlled Breakdown
20%
Quantum Wire
20%
Channel Length
20%
Leakage Current
20%
Experimental Characterization
20%
Incoherent Scattering
20%
Transistor Device
20%
Electron States
20%
Local Model
20%
Coherent Transmission
20%
Electrical Stress
20%
Evalution
20%
Capacitive Coupling
20%
Point Contact
20%
Lateral Gate
20%
Thin Oxides
20%
Conduction Properties
20%
Quantum Channel
20%
Quantum Electron Transport
20%
Scattering Mechanism
20%
Performance Specifications
20%
Electron Transport
20%
Simulation Techniques
20%
NWFET
20%
Nanometric
20%
Quantum Conductance
20%
CMOS Technology
20%
Oxide Thickness
20%
Engineering
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
100%
Nanoscale
33%
Contact Point
16%
Experimental Characterization
16%
Channel Length
16%
Capacitive Coupling
16%
Quantum Channel
16%
Oxide Thickness
16%
Quantum Wire
16%
Local Model
16%
Simulation Mode
16%
Physics
Field Effect Transistor
100%
Nanoscale
33%
Incoherent Scattering
16%
Electron State
16%
Quantum Wire
16%
Coherent Radiation
16%