Diseny i fabricació d'un microscopi de camp proper SNOM per a la caracterització de dispositius òptics integrats.

En el present projecte es procedirà al disseny i fabricació d'un microscopi òptic de camp proper (SNOM, scanning near-fiel optical microscope) per a la caracterització de la propagació de la llum en guies d'ona i dispositius òptics integrats en tecnologia de silici, basats en estructures ARROW, fabricats en el Centro Nacional de Microelectrónica. El present projecte representa una continuació d'un projecte anterior ("Diseño y realización de un sistema PSTM para el análisis de componentes ópticos pasivos integrados con tecnología de Silicio"; TIC95-0919-C02), en el que s'ha demostrat la viabilitat d'usar un microscopi de camp evanescent (PSTM) per a la caracterització a escala nanomètrica d'aquestes estructures. La conversió del sistema PSTM en un microscopi de camp proper SNOM amb control de la distància punta mostra per dtecció de la shear force mitjançant l'ús d'un tuning fork, permetrà obtenir simultàniament imatges òptiques i imatges topogràfiques, amb el qual s'ugmentarà la versatilitat de l'instrument. Per això, a més de caracteritzar estructures òptiques integrades, ens proposem aplicar la tècnica per a la caracterització de sensors òptics integrats. Les característiques de la tècnica SNOM permetrà caracteritzar el funcionament dels sensors "in situ", és a dir, per exemple en mitjà líquid. Finalment, s'avaluaran noves aplicacions del SNOM: litografia a escala nanomètrica (a l'entorn del projecte europeu TMR NANOFAB) i com a eeina de caracterització per a altres grups investigadors (per exemple, en altres tipus de dispositius òptics integrats o en Biologia)