Creixement i determinació teorico-experimental de microestructures en materials basats en capes fines semiconductores i vidres metàl·lics.

Aquest projecte té per finalitat el desenvolupament de nous materials, semiconductors i aleacions metàliques, amb microestructures específiques. Es proposa aprofundir en el coneixement que es posseeix actualment dels mecanismes de formació i creixement en capes fines i materials massissos, així com en els fonaments bàsics pels que es regeixen les transformacions de fase en sistemes multicomponents i polifàsics. Es pretén realitzar un anàlisi teòric de processos de nucleació i creixement cristal·lí, i un desenvolupament experimental de mètodes de preparació de nous materials. S'analitzarà la cinètica de nanocristal·lizació induïda per tractaments tèrmics en vidres i per condicions de depòsits per CVD en semiconductors que condueixen a la formació de materials nanoestructurats. El nostre objectiu consisteix en estudiar nous materials d'alt valor afegit en aplicacions tecnològiques. En semiconductors, s'enfocarà l'estudi cap a l'obtenció de capes poli- i monocristal·lines de SiC amb aplicacions en el desenvolupament de sensors d'alta tempreatura, de capes fines pseudomòrfiques de Si\sub 1-x\nosub C\sub x i de nanoestructures de Si i SiC. Els nanocristalls tenen aplicacions potencials per a realitzar dispositius d'emisió de llum (LED) compatibles amb circuits optoelectrònics basats en Si. En aleacions metàliques s'analitzarà la millora de processat de cable de Al i la cinètica de nanocristal·lització, que comporta unes altes prestacions de materials magnètics tous i de propietats mecàniques en aleacions lleugeres. Per a això, es proposa millorar la formulació ja desenvolupada per a la descripció de la microestructura, a partir de les dades cinètiques obtingudes per DSC i espectrometria Mössbauer dels processos de cristal·lització controlats per cinètiques de nucleació i creixement i desenvolupar una funció del temps. S'analitzarà, així mateix, el creixement homo- i heteroepitaxial del Si i SiC utilitzant inicialment simulació dinàmica de Montecarlo. Finalment