Detalls del projecte
Descripció
The main objective of the proposed project, i.e. the investigation of the ionising radiation effects on MOS devices, can be divided in two seccondary objectives:
1. Impact of radiation on microelectronic devices/circuits: characterization and modelling.
2. Nanometer scale characterization of the radiation effects on the gate oxide reliability of MOS structures
| Estatus | Acabat |
|---|---|
| Data efectiva d'inici i finalització | 1/01/05 → 31/03/07 |
Socis col·laboradors
- University of Padua (Coordinador) (guia)
Finançament
- Ministerio de Educación y Ciencia (MEC): 10.820,00 €
Fingerprint
Explora els temes de recerca tractats en aquest projecte. Les etiquetes es generen en funció dels ajuts rebuts. Juntes formen un fingerprint únic.