Projectes per any
Perfil personal
Educació / qualificació acadèmica
Doctor/a, Doctorat, Universitat Autònoma de Barcelona (UAB)
Data d'adjudicació: 1 de gen. 2000
Llicenciat/da, Ingeniería de Telecomunicación, Universitat Politècnica de Catalunya (UPC)
Data d'adjudicació: 6 de jul. 1995
Fingerprint
- 1 Perfils similars
Col·laboracions i principals àrees de recerca dels darrers cinc anys
-
RELIABILITY, SECURITY AND ENERGY EFFICIENCY IN ELECTRONIC DEVICES AND CIRCUITS FOR IOT EDGE (TIRELESS-UAB)
Nafria Maqueda, M. (Investigador/a principal), Porti Pujal, M. (Co-Investigador/a Principal), Crespo Yepes, A. (Investigador/a), Martin Martinez, J. (Investigador/a), Rodriguez Martinez, R. (Investigador/a), Valdivieso Leon, C. A. (Col.laborador/a), Salvador Aguilera, E. (Col.laborador/a), Goyal Goyal, R. (Col.laborador/a) & Baghban Bousari, N. (Col.laborador/a)
Fons Europeu de Desenvolupament Regional (FEDER)
1/09/23 → 31/08/27
Projecte: Projectes i Ajuts a la Recerca
-
Non-volAtile memRisTive swItches For hIgh frequenCy opEration
Verdu Tirado, J. A. (Investigador/a principal), Bargallo Gonzalez, M. (Investigador/a), Campabadal Segura, F. (Investigador/a), Crespo Yepes, A. (Investigador/a), Martin Martinez, J. (Investigador/a), Nafria Maqueda, M. (Investigador/a), Paco Sanchez, P. A. D. (Investigador/a), Rodriguez Martinez, R. (Investigador/a), Amarilla Rions, O. T. (Altres) & Guerrero Menéndez, E. (Altres)
2/12/24 → 1/06/25
Projecte: Projectes i Ajuts a la Recerca
-
THE VARIABILITY CHALLENGE IN NANO-CMOS AND BEYOND-CMOS: HARNESSING DEVICES AND MATERIALS FOR MITIGATION AND EXPLOITATION (VIGILANT-UAB)
Rodriguez Martinez, R. (Investigador/a principal), Nafria Maqueda, M. (Co-Investigador/a Principal), Diaz Fortuny, J. (Col.laborador/a), Pedreira Rincon, G. (Col.laborador/a), Pedro Puig, M. (Col.laborador/a), Ruiz Flores, A. (Col.laborador/a), Salvador Aguilera, E. (Col.laborador/a), Aymerich Humet, F. J. (Investigador/a), Crespo Yepes, A. (Investigador/a), Martin Martinez, J. (Investigador/a), Porti Pujal, M. (Investigador/a), Valdivieso Leon, C. A. (Col.laborador/a) & Claramunt Ruiz, S. (Col.laborador/a)
1/06/20 → 29/02/24
Projecte: Projectes i Ajuts a la Recerca
-
Beneficio del ruido en la respuesta de menrístores para el desarrollo de sistemas de computación alternativas y avanzadas.
Rodriguez Martinez, R. (Investigador/a principal), Crespo Yepes, A. (Col.laborador/a), Pedro Puig, M. (Col.laborador/a), Salvador Aguilera, E. (Col.laborador/a), Martin Martinez, J. (Investigador/a), Nafria Maqueda, M. (Investigador/a) & Rubio Solá, A. (Investigador/a)
Ministerio de Economía y Competitividad (MINECO)
1/11/18 → 30/09/21
Projecte: Projectes i Ajuts a la Recerca
-
Dispositivos, circuitos y arquitecturas fiables y de bajo consumo para iot
Nafria Maqueda, M. (Investigador/a principal), Porti Pujal, M. (Co-Investigador/a Principal), Diaz Fortuny, J. (Col.laborador/a), Pedro Puig, M. (Col.laborador/a), Ruiz Flores, A. (Col.laborador/a), Aymerich Humet, F. J. (Investigador/a), Crespo Yepes, A. (Investigador/a), Martin Martinez, J. (Investigador/a), Rodriguez Martinez, R. (Investigador/a) & Pedreira Rincon, G. (Col.laborador/a)
Ministerio de Economía y Competitividad (MINECO), Fons Europeu de Desenvolupament Regional (FEDER)
30/12/16 → 29/06/21
Projecte: Projectes i Ajuts a la Recerca
-
A statistical characterization of dielectric breakdown in FDSOI nanowire transistors
Goyal, R., Crespo-Yepes, A., Porti, M., Rodriguez, R. & Nafria, M., 11 de gen. 2026, In: Microelectronic Engineering. 302, 8 pàg., 112422.Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
Accés Obert3 Descàrregues (Pure) -
Comprehensive statistical analysis of random telegraph noise: Impact of gate voltage, temperature, and Bias time
Martin-Martinez, J., Baghban-Bousari, N., Castro-Lopez, R., Eric, D., Roca, E., Rodriguez, R., Porti, M., Fernandez, F. V. & Nafria, M., 1 de març 2026, In: Microelectronic Engineering. 303, 112437.Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
2 Descàrregues (Pure) -
On the role of power dissipation in the Post-BD behavior of FDSOI NanoWire FETs
Goyal, R., Crespo Yepes, A., Porti i Pujal, M., Rodríguez Martínez, R. & Nafría i Maqueda, M., de des. 2025, In: Solid-State Electronics. 230, 4 pàg., 109228.Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
Accés Obert1 Descàrregues (Pure) -
Resistive Switching phenomenon in FD-SOI Ω-Gate FETs: Transistor performance recovery and back gate bias influence
Valdivieso, C., Rodriguez, R., Crespo-Yepes, A., Martin-Martinez, J. & Nafria, M., d’abr. 2025, In: SOLID-STATE ELECTRONICS. 225, 4 pàg., 109067.Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
Accés Obert1 Descàrregues (Pure) -
Modeling and Simulation of Correlated Cycle-to-Cycle Variability in the Current-Voltage Hysteresis Loops of RRAM Devices
Salvador Aguilera, E., Bargallo Gonzalez, M., Campabadal, F., Rodríguez Martínez, R. & Miranda, E., 2024, In: IEEE transactions on nanotechnology. 23, pàg. 758-764 7 pàg.Producció científica: Contribució a revista › Article › Recerca › Avaluat per experts
Accés Obert
Tesi
-
Análisis de la degradación y ruptura dieléctrica de capas finas de SiO2 en dispositivos MOS sometidos a estreses estáticos y dinámicos. (Premio extraordinario de doctorado)
Rodriguez Martinez, R. (Autor), Nafría Maqueda, M. (Director/a), 13 de jul. 2000Tesi d’estudis: Tesi doctoral
-
Distribuciones de la carga atrapada en el óxido de puerta de dispositivos MOS en condiciones de estrés estático y dinámico
Rodríguez Martínez, R. (Autor), Nafría Maqueda, M. (Director/a), 17 de jul. 1997Tesi d’estudis: Tesina (TFM)