Resultats de la cerca

• Modelado de los efectos de la ruptura dieléctrica, BTI y variabilidad en MOSFETs Ultraescalados para la simulaciójn de circuitos. (Mención Europea)

  Martín Martínez, J. (Autor), Nafría Maqueda, M. (Director/a), 21 de jul. 2009

  Tesi d’estudis: Tesi doctoral