Foto de Enrique Alberto Miranda Castellano
Calculat sobre la base del núm. de les publicacions emmagatzemades a Pure i cites de Scopus
1993 …2024

Producció científica per any

Filtre
Article de revisió

Resultats de la cerca

  • 2024

    Hardware implementation of memristor-based artificial neural networks

    Aguirre, F., Sebastian, A., Le Gallo, M., Song, W., Wang, T., Yang, J. J., Lu, W., Chang, M. F., Ielmini, D., Yang, Y., Mehonic, A., Kenyon, A., Villena, M. A., Roldán, J. B., Wu, Y., Hsu, H. H., Raghavan, N., Suñé, J., Miranda, E. & Eltawil, A. I 11 altres, Setti, G., Smagulova, K., Salama, K. N., Krestinskaya, O., Yan, X., Ang, K. W., Jain, S., Li, S., Alharbi, O., Pazos, S. & Lanza, M., 4 de març 2024, In: Nature communications. 15, 1, 40 pàg., 1974.

    Producció científica: Contribució a revistaArticle de revisióRecercaAvaluat per experts

    Accés Obert
    107 Cites (Scopus)
  • 2023

    Variability in Resistive Memories

    Roldán, J. B., Miranda, E., Maldonado, D., Mikhaylov, A. N., Agudov, N. V., Dubkov, A. A., Koryazhkina, M. N., González, M. B., Villena, M. A., Poblador, S., Saludes-Tapia, M., Picos, R., Jiménez-Molinos, F., Stavrinides, S. G., Salvador, E., Alonso, F. J., Campabadal, F., Spagnolo, B., Lanza, M. & Chua, L. O., de juny 2023, In: Advanced Intelligent Systems. 5, 6, 46 pàg., 2200338.

    Producció científica: Contribució a revistaArticle de revisióRecercaAvaluat per experts

    Accés Obert
    98 Cites (Scopus)
  • 2022

    Quantum Conductance in Memristive Devices: Fundamentals, Developments, and Applications

    Milano, G., Aono, M., Boarino, L., Celano, U., Hasegawa, T., Kozicki, M., Majumdar, S., Menghini, M., Miranda, E., Ricciardi, C., Tappertzhofen, S., Terabe, K. & Valov, I., 11 d’ag. 2022, In: Advanced Materials. 34, 32, 30 pàg., 2201248.

    Producció científica: Contribució a revistaArticle de revisióRecercaAvaluat per experts

    Accés Obert
    56 Cites (Scopus)
  • 2021

    Standards for the Characterization of Endurance in Resistive Switching Devices

    Lanza, M., Waser, R., Ielmini, D., Yang, J. J., Goux, L., Suñe, J., Kenyon, A. J., Mehonic, A., Spiga, S., Rana, V., Wiefels, S., Menzel, S., Valov, I., Villena, M. A., Miranda, E., Jing, X., Campabadal, F., Gonzalez, M. B., Aguirre, F. & Palumbo, F. I 16 altres, Zhu, K., Roldan, J. B., Puglisi, F. M., Larcher, L., Hou, T. H., Prodromakis, T., Yang, Y., Huang, P., Wan, T., Chai, Y., Pey, K. L., Raghavan, N., Dueñas, S., Wang, T., Xia, Q. & Pazos, S., 23 de nov. 2021, In: ACS Nano. 15, 11, pàg. 17214-17231 18 pàg.

    Producció científica: Contribució a revistaArticle de revisióRecercaAvaluat per experts

    Accés Obert
    176 Cites (Scopus)
  • 2019

    Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices

    Lanza, M., Wong, H. S. P., Pop, E., Ielmini, D., Strukov, D., Regan, B. C., Larcher, L., Villena, M. A., Yang, J. J., Goux, L., Belmonte, A., Yang, Y., Puglisi, F. M., Kang, J., Magyari-Köpe, B., Yalon, E., Kenyon, A., Buckwell, M., Mehonic, A. & Shluger, A. I 34 altres, Li, H., Hou, T. H., Hudec, B., Akinwande, D., Ge, R., Ambrogio, S., Roldan, J. B., Miranda, E., Suñe, J., Pey, K. L., Wu, X., Raghavan, N., Wu, E., Lu, W. D., Navarro, G., Zhang, W., Wu, H., Li, R., Holleitner, A., Wurstbauer, U., Lemme, M. C., Liu, M., Long, S., Liu, Q., Lv, H., Padovani, A., Pavan, P., Valov, I., Jing, X., Han, T., Zhu, K., Chen, S., Hui, F. & Shi, Y., 1 de gen. 2019, In: Advanced Electronic Materials. 5, 1, 1800143.

    Producció científica: Contribució a revistaArticle de revisióRecercaAvaluat per experts

    524 Cites (Scopus)
  • 2018

    Silicon Oxide (SiO<inf>x</inf>): A Promising Material for Resistance Switching?

    Mehonic, A., Shluger, A. L., Gao, D., Valov, I., Miranda, E., Ielmini, D., Bricalli, A., Ambrosi, E., Li, C., Yang, J. J., Xia, Q. & Kenyon, A. J., 25 d’oct. 2018, In: Advanced Materials. 30, 43, 1801187.

    Producció científica: Contribució a revistaArticle de revisióRecercaAvaluat per experts

    160 Cites (Scopus)
El missatge s'ha enviat correctament.
El missatge no s'ha enviat a causa d'un error.