Foto de Enrique Alberto Miranda Castellano

Consulteu el perfil a Scopus

Enrique Alberto Miranda Castellano

Dr.

 https://orcid.org/0000-0003-0470-5318
    Calculat sobre la base del núm. de les publicacions emmagatzemades a Pure i cites de Scopus
    1993 …2024

    Producció científica per any

    Filtre
    Capítol

    Resultats de la cerca

    • 2021

      One-way Sensitivity Analysis of the Quasi-static Memdiode Model for RRAM Devices

      Salvador, E., Gonzalez, M. B., Campabadal, F., Martin-Martinez, J., Rodriguez, R. & Miranda, E., 12 de set. 2021, 2021 IEEE 32nd International Conference on Microelectronics (MIEL). pàg. 73-76 4 pàg. (Proceedings of the International Conference on Microelectronics, ICM).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      1 Citació (Scopus)
    • 2017

      Equivalent circuit model for the electron transport in 2D resistive switching material systems

      Miranda, E., Sune, J., Pan, C., Villena, M., Xiao, N. & Lanza, M., 12 d’oct. 2017, 2017 47th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC). pàg. 86-89 4 pàg. (European Solid-State Device Research Conference).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      6 Cites (Scopus)

    • SPICE model for the ramp rate effect in the reset characteristic of memristive devices

      Rodriguez-Fernandez, A., Suñé, J., Miranda, E., Gonzalez, M. B., Campabadal, F., Chawa, M. M. A. & Picos, R., 2017, 2017 32nd Conference on Design of Circuits and Integrated Systems (DCIS). pàg. 1-4 4 pàg. (2017 32nd Conference on Design of Circuits and Integrated Systems, DCIS 2017 - Proceedings).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      6 Cites (Scopus)

    • SPICE simulation of 1T1R structures based on a logistic hysteresis operator

      Patterson, G. A., Rodriguez-Fernandez, A., Sune, J., Miranda, E., Cagli, C. & Perniola, L., 2017, 2017 Spanish Conference on Electron Devices (CDE). pàg. 1-4 4 pàg. (2017 Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2017).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      4 Cites (Scopus)
    • 2016

      Advanced device characterization techniques

      Gutiérrez-D, E. A., Rauch, S. E., Molina, J. & Miranda, E. A., 1 de gen. 2016, Nano-Scaled Semiconductor Devices: Physics, Modelling, Characterisation, and Societal Impact. pàg. 187-348 161 pàg.

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      1 Citació (Scopus)
    • 2015

      Modeling of the conduction characteristics of voltage-driven bipolar RRAMs including turning point effects

      Blasco, J., Sune, J. & Miranda, E., 10 de nov. 2015, 2015 45th European Solid State Device Research Conference (ESSDERC). pàg. 44-47 4 pàg. (European Solid-State Device Research Conference).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      1 Citació (Scopus)

    • Modeling of the I-V and I-t characteristics of multiferroic BiFeO3 layers

      Miranda, E., Jimenez, D., Blasco, J., Sune, J., Tsurumaki-Fukuchi, A., Yamada, H. & Sawa, A., 16 d’abr. 2015, 2015 10th Spanish Conference on Electron Devices (CDE). 3 pàg. (Proceedings of the 2015 10th Spanish Conference on Electron Devices, CDE 2015).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

    • 2014

      Investigation of switching mechanism in forming-free multi-level resistive memories with atomic layer deposited HfTiOx nanolaminate

      Chakrabarti, B., Miranda, E. & Vogel, E. M., 2014, 72nd Device Research Conference. pàg. 127-128 2 pàg. (Device Research Conference - Conference Digest, DRC).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

    • On the properties of conducting filament in ReRAM

      Lian, X., Lanza, M., Rodriguez, A., Miranda, E. & Suñe, J., 1 de gen. 2014, Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT), 2014 12th IEEE International Conference on. 1 ed. Nova York (US), pàg. -

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca

    • 2013

      Compact analytical models for the SET and RESET switching statistics of RRAM inspired in the cell-based percolation model of gate dielectric breakdown

      Long, S., Lian, X., Cagli, C., Perniola, L., Miranda, E., Jimenez, D., Lv, H., Liu, Q., Li, L., Huo, Z., Liu, M. & Suñé, J., 2013, 2013 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS). pàg. 5A.6.1-5A.6.8 8 pàg. (IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      12 Cites (Scopus)
    • 2012

      Electrical evidence of atomic-size effects in the conduction filament of RRAM

      Sune, J., Long, S., Cagli, C., Perniola, L., Lian, X., Cartoixa, X., Rurali, R., Miranda, E., Jimenez, D. & Liu, M., 1 de gen. 2012, 2012 IEEE 11th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT). Tang, TA & Jiang, YL (ed.). 1 ed. Nova York (US), pàg. 485-488 3 pàg.

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca

    • 2011

      Analytical modelling of Multiple-gate MOSFETs

      Ritzenthaler, R., Lime, F., Iniguez, B., Miranda, E., Martinez, F., Pascal, F., Valenza, M., Faynot, O. & Cristoloveanu, S., 2011, Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011. pàg. 1-4 4 pàg. (Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      2 Cites (Scopus)

    • A simple analytical and explicit compact model for the drain current of UTB SOI MOSFETs

      Lime, F., Ritzenthaler, R., Iñiguez, B., Miranda, E., Martinez, F., Pascal, F. & Faynot, O., 2011, Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011. pàg. 1-4 4 pàg. (Proceedings of the 8th Spanish Conference on Electron Devices, CDE'2011).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

    • Toy model for the progressive breakdown dynamics of ultrathin gate dielectrics

      Miranda, E., Jiménez, D. & Suñé, J., 2011, Ulis 2011 Ultimate Integration on Silicon. pàg. 1-3 3 pàg. (2011 12th International Conference on Ultimate Integration on Silicon, ULIS 2011).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

    • 2010

      Analysis of the breakdown spots spatial distribution in large area MOS structures

      Miranda, E., O'Connor, E. & Hurley, P. K., 2010, 2010 IEEE International Reliability Physics Symposium. pàg. 775-777 3 pàg. (IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      14 Cites (Scopus)

    • Parasitic back-inferface conduction in planar and triple-gate SOI transistors

      Ritzenthaler, R., Lime, F., Ricoma, M., Martinez, F., Faynot, O., Pascal, F., Valenza, M., Miranda, E., Cristoloveanu, S. & Iñiguez, B., 2010, 2010 IEEE International SOI Conference (SOI). pàg. 1-2 2 pàg. (Proceedings - IEEE International SOI Conference).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      3 Cites (Scopus)

    • Simple model for the switching I-V characteristic in electroformed MIM structures

      Miranda, E. & Jiménez, D., 2010, 2010 27th International Conference on Microelectronics Proceedings. pàg. 95-97 3 pàg. (2010 27th International Conference on Microelectronics, MIEL 2010 - Proceedings).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

    • 2009

      Post-breakdown conduction in metal gate/MgO/InP structures

      Miranda, E., O'connor, E., Hughes, G., Casey, P., Cherkaoui, K., Monaghan, S., Long, R., O'connelf, D. & Hurley, P. K., 2009, 2009 16th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits. pàg. 71-74 4 pàg. (Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      2 Cites (Scopus)

    • Soft breakdown in MgO dielectric layers

      Miranda, E., O'Connor, E., Hughes, G., Casey, P., Cherkaoui, K., Monaghan, S., Long, R., O'Connell, D. & Hurley, P. K., 2009, 2009 IEEE International Reliability Physics Symposium. pàg. 688-691 4 pàg. (IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      9 Cites (Scopus)
    • 2008

      Progressive breakdown dynamics in HfSiON/SiON gate stacks

      Miranda, E., Falbo, P., Nafría, M. & Crupi, F., 2008, 2008 26th International Conference on Microelectronics. pàg. 525-528 4 pàg. ("2008 26th International Conference on Microelectronics, Proceedings, MIEL 2008").

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      1 Citació (Scopus)
    • 2007

      The role of power dissipation on the progressive breakdown dynamics of ultra-thin gate oxides

      Miranda, E., 2007, 2007 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 45th Annual. pàg. 572-573 2 pàg. (Annual Proceedings - Reliability Physics (Symposium)).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      3 Cites (Scopus)
    • 2006

      Modeling the post-breakdown current in MOS devices on p-silicon substrate

      Ortiz-Conde, A., Miranda, E., García Sanchéz, F. J., Farkas, E. & Malobabic, S., 2006, 2006 International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems. pàg. 13-16 4 pàg. (Proceedings of the Sixth International Caribbean Conference on Devices, Circuits and Systems, ICCDCS 2006 - Final Program and Technical Digest).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      3 Cites (Scopus)
    • 2005

      Effect of the series resistance on the Fowler-Nordheim tunneling characteristics of ultra-thin gate oxides

      Miranda, E., 2005, Conference on Electron Devices, 2005 Spanish. pàg. 41-44 4 pàg. (2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      2 Cites (Scopus)
    • 2003

      Experimental study and modeling of the temperature dependence of soft breakdown conduction in ultrathin gate oxides

      Avellán, A., Miranda, E., Sell, B. & Krautschneider, W., 2003, 2003 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings, 2003. 41st Annual.. pàg. 580-581 2 pàg. (ieee international reliability).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      4 Cites (Scopus)
    • 2002

      Breakdown Modes and Breakdown Statistics of Ultrathin SiO2 Gate Oxides

      Suñé, J., Jiménez, D., Miranda, E. & Dumin, D. J. (Editor), 1 de gen. 2002, OXIDE RELIABILITY A Summary of Silicon Oxide Wearout, Breakdown, and Reliability. 1 ed. Al Isma'iliyah (US), Vol. 23. pàg. 173-232 59 pàg.

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca

    • Temperature dependence of the hard breakdown current of MOS capacitors

      Avellán, A., Miranda, E., Sell, B., Schroeder, D. & Krautschneider, W., 2002, 32nd European Solid-State Device Research Conference. pàg. 463-466 4 pàg. (European Solid-State Device Research Conference).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      3 Cites (Scopus)
    • 2001

      Analytic modeling of leakage current through multiple breakdown paths in SiO2 films

      Miranda, E. & Suñé, J., 2001, 2001 IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings. 39th Annual (Cat. No.00CH37167). pàg. 367-379 13 pàg. (IEEE International Reliability Physics Symposium Proceedings).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      53 Cites (Scopus)
    • 1998

      Point contact conduction at the oxide breakdown of MOS devices

      Sune, J., Miranda, E., Nafria, M. & Aymerich, X., 1998, International Electron Devices Meeting 1998. Technical Digest (Cat. No.98CH36217). pàg. 191-194 4 pàg. (Technical Digest - International Electron Devices Meeting).

      Producció científica: Capítol de llibre › Capítol › Recerca › Avaluat per experts

      87 Cites (Scopus)
    El missatge s'ha enviat correctament.
    El missatge no s'ha enviat a causa d'un error.